英偉達(dá)供應(yīng)鏈持續(xù)火熱，又有兩類電子元件或?qū)⒊蔀橼A家。

據(jù)知名分析師郭明錤最新報(bào)告顯示，受益英偉達(dá)GB200訂單情況超乎預(yù)期，美國(guó)電阻公司威世(Vishay)目前2025年的MOSFET產(chǎn)能已滿載，預(yù)計(jì)將貢獻(xiàn)營(yíng)收約20–30%，毛利率高于平均水準(zhǔn)。

郭明錤指出，威世在英偉達(dá)的Blackwell AI服務(wù)器（GB200各機(jī)型與DGX/HGX B200）與RTX 50系列顯卡的訂單狀況均超乎預(yù)期，包括MOSFET/DrMOS（VRPower）、vPolyTan（Polymer Tantalum，如T55）、分流電阻（Current Shunt Resistor）、瞬態(tài)電壓抑制器（Transient Voltage Suppressor/TVS）、蕭特基二極管 （Schottky Barrier Diode/SBD）等，在這些零組件當(dāng)中，最值得關(guān)注的是MOSFET與聚合物鉭電容(vPolyTan)。

郭明錤提到，Vishay目前2025年的MOSFET產(chǎn)能已滿載，預(yù)計(jì)將貢獻(xiàn)營(yíng)收約20–30％，毛利率高于平均水平。郭明錤還表示，由于GB200大量采用Vishay的vPolyTan（聚合物鉭電容）（以T55為主），目前Vishay的vPolyTan在2025年已面臨供不應(yīng)求，預(yù)計(jì)將貢獻(xiàn)營(yíng)收約高個(gè)位數(shù)，此產(chǎn)品毛利率顯著高于平均水平。

郭明錤認(rèn)為，Vishay3.0受惠于強(qiáng)勁英偉達(dá) AI服務(wù)器與新款RTX50系列需求，可望在2025浮現(xiàn)成效，并在后續(xù)持續(xù)受益于汽車產(chǎn)業(yè)景氣復(fù)蘇與IoT標(biāo)案。預(yù)期在未來數(shù)年，Vishay將持續(xù)受益于Vishay3.0而快速成長(zhǎng)。

MOSFET由于其開關(guān)速度快、高頻特性好、熱穩(wěn)定性好而常駐于各種電子設(shè)備中。而鉭電容相比于MLCC（多層片式陶瓷電容器）也具有更高電容值和更高耐壓耐溫等特性。

有機(jī)構(gòu)指出，AI發(fā)展最直接拉動(dòng)的是算力需求的提升，而AI芯片對(duì)于電源穩(wěn)定性的要求大大提升了芯片外圍的電容總?cè)萘啃枨螅瑫r(shí)大功率AI芯片也對(duì)散熱提出了更高的要求。鉭電容憑借更高電容值以及耐高溫的特性，有望受到AI應(yīng)用拉動(dòng)需求增長(zhǎng)。